IRF640采用TO-220AB封装。
晶体管极性：N沟道漏极电流，Id最大值：18A电压，Vds最大值：200V导通电阻，Rds（on）：0.15ohm电压@ Rds测量：10V电压，Vgs最大值：4V封装类型：TO-220AB引脚数量：3功率，Pd：150W封装类型：TO-220AB晶体管类型：MOSFET热阻，结至外壳A：1°C / W电压Vgs @ Rds测量时：10V电压，Vds典型值：200V电流，Id连续： 18A电流，Idm脉冲：72A表面贴装器件：通孔安装阈值电压，Vgs典型：4V阈值电压，最高Vgs：4V 贴片安装IRF640S可选卷带包装IRF640S低端孔安装IRF640L动态dv / dt速率150°C工作温度IRF640S，IRF640L快速转换速率可恢复性雪崩测量并行简单而简单的驱动只有无铅环保
